WIPO logo
الهاتف الخلوي | Deutsch | English | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 |
PATENTSCOPE

البحث في مجموعات البراءات الوطنية والدولية
World Intellectual Property Organization
البحث
 
تصفّح
 
الخيارات
 
أخبار
 
تسجيل الدخول
 
مساعدة
 
ترجمة آلية
1. (WO1989011905) DRY EXHAUST GAS CONDITIONING
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي   

رقم النشر:    WO/1989/011905    رقم الطلب الدولي:    PCT/GB1989/000600
تاريخ النشر: 14.12.1989 تاريخ الإيداع الدولي: 31.05.1989
الفصل الثاني من الطلب المودع:    19.01.1990    
التصنيف الدولي للبراءات:
B01D 53/46 (2006.01), B01D 53/68 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01)
المودعون: PLASMA PRODUCTS LTD. [GB/GB]; P.O. Box 1020, Nailsea, Bristol BS19 1JW (GB) (For All Designated States Except US).
SMITH, James, Robert [GB/GB]; (GB) (For US Only).
TIMMS, Peter, Leslie [GB/GB]; (GB) (For US Only)
المخترعون: SMITH, James, Robert; (GB).
TIMMS, Peter, Leslie; (GB)
الوكيل: DUNLOP, Brian, Kenneth, Charles @; Wynne-Jones, Laine & James, 22 Rodney Road, Cheltenham, Gloucestershire GL50 1JJ (GB)
بيانات الأولوية:
8813270.9 04.06.1988 GB
العنوان (EN) DRY EXHAUST GAS CONDITIONING
(FR) CONDITIONNEMENT DE GAZ D'ECHAPPEMENT SECS
الملخص: front page image
(EN)This invention relates to gas treatment apparatus and methods and particularly, but not exclusively, to such apparatus and methods for use with exhaust products form semi-conductor manufacturing process. A reactor column (10) has an inlet (11) at the bottom and an outlet (12). Between the inlet and outlet it is divided into three sequential stages containing: silicon or silicon containing materials; lime or soda lime and copper oxide or copper oxide reagents.
(FR)Cette invention concerne un appareil et des procédés de traitement des gaz et notamment, mais pas uniquement, un appareil et des procédés utilisés avec des produits d'échappement provenant d'un processus de fabrication de semi-conducteurs. Une colonne de réacteur (10) comprend une admission (11) agencée en sa partie inférieure ainsi qu'une sortie (12). Entre l'admission et la sortie, la colonne est divisée en trois étages séquentiels contenant: du silicium ou des matières contenant du silicium, de la chaux vive ou de la soude vive ainsi que de l'oxyde de cuivre ou des réactifs d'oxyde de cuivre.
الدول المعيّنة: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
لغة النشر: English (EN)
لغة الإيداع: English (EN)