البحث في مجموعات البراءات الوطنية والدولية
بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (US20110318857) Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

المكتب : الولايات المتحدة الأمريكية
رقم الطلب: 13219118 تاريخ الطلب: 26.08.2011
رقم النشر: 20110318857 تاريخ النشر: 29.12.2011
رقم التسليم: 09343622 تاريخ التسليم: 17.05.2016
نوع النشر: B2
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 33/12
H01L 33/00
Description not available in lang arDescription not available in lang ar
المتقدمون: Suk Hun Lee
LG INNOTEK CO., LTD.
المخترعون: Suk Hun Lee
الوكلاء: Saliwanchik, Lloyd & Eisenschenk
بيانات الأولوية: 10-2004-0111085 23.12.2004 KR
العنوان: (EN) Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
الملخص: front page image
(EN)

Provided is a nitride semiconductor light emitting device including: a substrate; a first buffer layer formed above the substrate; an indium-containing second buffer layer formed above the first buffer layer; an indium-containing third buffer layer formed above the second buffer layer; a first nitride semiconductor layer formed above the third buffer layer; an active layer formed above the first nitride semiconductor layer; and a second nitride semiconductor layer formed above the active layer. According to the present invention, the crystal defects are further suppressed, so that the crystallinity of the active layer is enhanced, and the optical power and the operation reliability are enhanced.


:نشرت أيضا باسم
EP1829122JP2008526012US20080142781CN101073161IN772/MUMNP/2007WO/2006/068374