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1. (JP2008526012) 窒化物半導体発光素子及びその製造方法

المكتب : اليابان
رقم الطلب: 2007548055 تاريخ الطلب: 05.12.2005
رقم النشر: 2008526012 تاريخ النشر: 17.07.2008
نوع النشر: A
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 33/00
Description not available in lang ar
التصنيف التعاوني للبراءات:
H01L 33/12
H01L 33/007
المتقدمون: エルジー イノテック カンパニー リミテッド
المخترعون: リー、ソクフン
الوكلاء: 森下 賢樹
بيانات الأولوية: 10-2004-0111085 23.12.2004 KR
العنوان: (JA) 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
الملخص: front page image
(JA)

【課題】窒化物半導体発光素子をなす結晶欠陥を減少させ、活性層の結晶性を向上させることができる窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提案する。
【解決手段】本発明は、基板201と、基板201の上に形成された第1バッファ層203と、第1バッファ層203の上に形成されたIn含有第2バッファ層205と、第2バッファ層205の上に形成されたIn含有第3バッファ層209と、第3バッファ層209の上に形成された第1窒化物半導体層211と、第1窒化物半導体層211の上に形成された活性層215と、活性層215の上に形成された第2窒化物半導体層217とが含まれる窒化物半導体発光素子を提示するものであって、本発明によれば、窒化物半導体発光素子をなす結晶欠陥がより抑制されて活性層の結晶性が向上し、全体として発光素子の光出力及び動作信頼性が向上する長所がある。
【選択図】図2


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EP1829122US20080142781US20110318857CN101073161IN772/MUMNP/2007WO/2006/068374