بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (CN101073161) Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

المكتب : الصين
رقم الطلب: 200580041803.0 تاريخ الطلب: 05.12.2005
رقم النشر: 101073161 تاريخ النشر: 14.11.2007
رقم التسليم: 100479206 تاريخ التسليم: 15.04.2009
نوع النشر: C
:مرجعية معاهدة التعاون بشأن البراءات رقم الطلب:PCTKR2005004118؛ رقم النشر:2006068374       اضغط لرؤية المعلومات
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 33/00
Description not available in lang ar
المتقدمون: LG Innotek Co., Ltd.
LG伊诺特有限公司
المخترعون: Lee Suk Hun
李昔宪
الوكلاء: caisheng wei liuji fu
北京集佳知识产权代理有限公司
北京集佳知识产权代理有限公司
بيانات الأولوية: 10-2004-0111085 23.12.2004 KR
العنوان: (EN) Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
(ZH) 氮化物半导体发光器件及其制备方法
الملخص: front page image
(EN) Provided is a nitride semiconductor light emitting device including: a substrate; a first buffer layer formed above the substrate; an indium-containing second buffer layer formed above the first buffer layer; an indium-containing third buffer layer formed above the second buffer layer; a first nitride semiconductor layer formed above the third buffer layer; an active layer formed above the first nitride semiconductor layer; and a second nitride semiconductor layer formed above the active layer. According to the present invention, the crystal defects are further suppressed, so that the crystallinity of the active layer is enhanced, and the optical power and the operation reliability are enhanced.
(ZH)

提供了一种氮化物半导体发光器件,包括:衬底;在衬底上形成的第一缓冲层;在第一缓冲层上形成的含铟第二缓冲层;在第二缓冲层上形成的含铟第三缓冲层;在第三缓冲层上形成的第一氮化物半导体层;在第一氮化物半导体层上形成的有源层;和在有源层上形成的第二氮化物半导体层。根据本发明,晶体缺陷得到进一步抑制,使得有源层的结晶度得到提高,并且光功率和可靠性也得到提高。


:نشرت أيضا باسم
EP1829122JP2008526012US20080142781US20110318857IN772/MUMNP/2007WO/2006/068374