البحث في مجموعات البراءات الدولية والوطنية
بعض محتويات هذا الطلب غير متوفر حاليا.
إذا استمر الوضع، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وبيانات الاتصال
1. (US20170169893) Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory

المكتب : الولايات المتحدة الأمريكية
رقم الطلب: 15404739 تاريخ الطلب: 12.01.2017
رقم النشر: 20170169893 تاريخ النشر: 15.06.2017
رقم التسليم: 09934863 تاريخ التسليم: 03.04.2018
نوع النشر: B2
التصنيف الدولي للبراءات:
G11C 16/28
G11C 16/10
G11C 16/34
G11C 11/56
G06F 11/10
G11C 29/52
Description not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang ar
التصنيف التعاوني للبراءات:
G06F 11/1068
G11C 11/5628
G11C 11/5642
G11C 16/10
G11C 16/28
G11C 16/3427
G11C 16/349
G11C 29/52
مودعي الطلبات: International Business Machines Corporation
المخترعون: Thomas J. Griffin
Steven J. Hnatko
الوكلاء: Martin & Associates, LLC
Derek P. Martin
بيانات الأولوية:
الاسم: (EN) Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory
الملخص: front page image
(EN)

A NAND flash memory device detects the occurrence of Cell Voltage Distribution Disruption Events (CVDDEs), such as a Partial Block Program (PBP) and Program-Read-Immediate (PRI), and provides a way to dynamically adjust read voltage to account for CVDDEs. A read command includes extended addressing bits that are used when a CVDDE has occurred to access registers that indicate an adjustment to read voltage that is needed to accommodate the CVDDE. The read voltage is then dynamically adjusted to accommodate the CVDDE. When the CVDDE is no longer an issue, the read voltage is adjusted to its previous value before the CVDDE.