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1. (JP7321041 ) III-V族化合物半導体結晶成長方法

المكتب : اليابان
رقم الطلب: 11615194 تاريخ الطلب: 30.05.1994
رقم النشر: 7321041 تاريخ النشر: 08.12.1995
رقم التسليم: 3230029 تاريخ التسليم: 19.11.2001
نوع النشر: B2
التصنيف الدولي للبراءات:
C30B 25/2
H01L 21/205
H01L 21/335
H01L 21/338
H01L 29/778
H01L 29/812
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المتقدمون:
المخترعون: 吉川 俊英
بيانات الأولوية: 11615194 30.05.1994 JP
العنوان: (JA) III-V族化合物半導体結晶成長方法
الملخص: front page image
(JA)


【目的】 III-V族化合物半導体結晶成長方法に関
し、シラン、ジシランの代替原料を用い、安全に、か
つ、分解温度を低くして、Siを均一かつ、高濃度にド
ーピングする手段を提供する。


【構成】 有機金属気相成長法等によってGaAs等の
III-V族化合物半導体を成長する過程でSiをドー
プする場合、ドーパントとしてSiにアルキル基と水素
基が結合し、あるいはSiが分子内に2つ以上含まれ、
そのSiのうち少なくとも1つには水素基が結合し、か
つ、少なくとも他のSiにはアルキル基が結合し、ある
いはSiが分子内に2つ以上含まれ、そのSiのうち少
なくとも1つには水素基が結合し、かつ、少なくとも他
のSiにはフェニル基が結合し、あるいはSiが分子内
に2つ以上含まれ、そのSiのうち少なくとも一つに有
機アミノ基が結合している室温で液体の材料、例えばフ
ェニルシラン(PhSi)を用いる。