WIPO logo
الهاتف الخلوي | Deutsch | English | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 |
PATENTSCOPE

البحث في مجموعات البراءات الوطنية والدولية
World Intellectual Property Organization
البحث
 
تصفّح
 
الخيارات
 
أخبار
 
تسجيل الدخول
 
مساعدة
 
ترجمة آلية
1. (WO2010090002) NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي   

رقم النشر:    WO/2010/090002    رقم الطلب الدولي:    PCT/JP2010/000624
تاريخ النشر: 12.08.2010 تاريخ الإيداع الدولي: 03.02.2010
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 27/10 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
المودعون: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
NINOMIYA, Takeki; (For US Only).
TAKAGI, Takeshi; (For US Only).
WEI, Zhiqiang; (For US Only)
المخترعون: NINOMIYA, Takeki; .
TAKAGI, Takeshi; .
WEI, Zhiqiang;
الوكيل: NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
بيانات الأولوية:
2009-023449 04.02.2009 JP
العنوان (EN) NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATILE
(JA) 不揮発性記憶素子
الملخص: front page image
(EN)In a non-volatile memory element (100), a resistance change layer (107) comprises a first metal oxide MOx and a second metal oxide MOy. The reaction energy of the chemical reaction represented by chemical reaction formula (13) involving said first metal oxide, said second metal oxide, oxygen ions and electrons is 2 eV or less. The combination (MOx, MOy) of MOx and MOy is a combination selected from a group comprising (Cr2O3, CrO3), (Co3O4, Co2O3), (Mn3O4, Mn2O3), (VO2, V2O5), (Ce2O3, CeO2), (W3O8, WO3), (Cu2O, CuO), (SnO, SnO2), (NbO2, Nb2O5), and (Ti2O3, TiO2). (13)
(FR)Dans un élément de mémoire non volatile (100), une couche à changement de résistance (107) comprend un premier oxyde métallique MOx et un second oxyde métallique MOy. L'énergie de réaction de la réaction chimique représentée par la formule de réaction chimique (13) mettant en jeu ledit premier oxyde métallique, ledit second oxyde métallique, des ions oxygènes et des électrons est de 2 eV ou moins. La combinaison (MOx, MOy) de MOx et MOy est une combinaison sélectionnée à partir d'un groupe comprenant (Cr2O3, CrO3), (Co3O4, Co2O3), (Mn3O4, Mn2O3), (VO2, V2O5), (Ce2O3, CeO2), (W3O8, WO3), (Cu2O, CuO), (SnO, SnO2), (NbO2, Nb2O5) et (Ti2O3, TiO2). (13)
(JA) 不揮発性記憶素子(100)において、抵抗変化層(107)が第1の金属酸化物MOと第2の金属酸化物MOとを含み、化学反応式が式13で表される、前記第1の金属酸化物と、前記第2の金属酸化物と、酸素イオンと、電子とが係わる化学反応の反応エネルギーが2eV以下であって、前記MOおよび前記MOの組(MO、MO)が、(Cr、CrO)、(Co、Co)、(Mn、Mn)、(VO、V)、(Ce、CeO)、(W、WO)、(CuO、CuO)、(SnO、SnO)、(NbO、Nb)、および(Ti、TiO)からなる群より選択される1組である。
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
لغة النشر: Japanese (JA)
لغة الإيداع: Japanese (JA)