WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
1. (WO2012051324) HIGH BANDGAP III-V ALLOYS FOR HIGH EFFICIENCY OPTOELECTRONICS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/051324    International Application No.:    PCT/US2011/055994
Publication Date: 19.04.2012 International Filing Date: 12.10.2011
IPC:
H01L 29/66 (2006.01)
Applicants: ALLIANCE FOR SUSTAINABLE ENERGY, LLC [US/US]; 1617 Cole Boulevard Golden, Colorado 80401 (US) (For All Designated States Except US).
ALBERI, Kirstin [US/US]; (US) (For US Only).
MASCARENHAS, Angelo [US/US]; (US) (For US Only).
WANLASS, Mark W. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: ALBERI, Kirstin; (US).
MASCARENHAS, Angelo; (US).
WANLASS, Mark W.; (US)
Agent: MITCHELL, Cynthia S.; c/o National Renewable Energy Laboratory 1617 Cole Boulevard Golden, Colorado 80401 (US)
Priority Data:
61/392,406 12.10.2010 US
Title (EN) HIGH BANDGAP III-V ALLOYS FOR HIGH EFFICIENCY OPTOELECTRONICS
(FR) ALLIAGES III-V À BANDE INTERDITE IMPORTANTE POUR COMPOSANTS OPTOÉLECTRONIQUES DE GRANDE EFFICACITÉ
Abstract: front page image
(EN)High bandgap alloys for high efficiency optoelectronics are disclosed. An exemplary optoelectronic device may include a substrate, at least one Al1-xInxP layer, and a step-grade buffer between the substrate and at least one Al1-xInxP layer. The buffer may begin with a layer that is substantially lattice matched to GaAs, and may then incrementally increase the lattice constant in each sequential layer until a predetermined lattice constant of Al1-xInxP is reached.
(FR)L'invention porte sur des alliages à bande interdite importante pour des composants optoélectroniques de grande efficacité. Un dispositif optoélectronique donné à titre d'exemple peut comprendre un substrat, au moins une couche Al1-xInxP, et un tampon à gradient en échelon entre le substrat et au moins une couche Al1-xInxP. Le tampon peut commencer avec une couche qui est sensiblement un réseau mis en correspondance avec GaAs, et peut ensuite augmenter de manière incrémentale la constante de réseau dans chaque couche séquentielle jusqu'à ce qu'une constante de réseau prédéterminée de Al1-xInxP soit atteinte.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Org. (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)