WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
1. (WO2007067304) LIGHT CAPTURE WITH PATTERNED SOLAR CELL BUS WIRES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/067304    International Application No.:    PCT/US2006/043877
Publication Date: 14.06.2007 International Filing Date: 10.11.2006
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue, Room NE 25-230, Cambridge, MA 02139 (US) (For All Designated States Except US).
SACHS, Emanuel, M. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SACHS, Emanuel, M.; (US)
Agent: WEISSBURG, Steven, J.; 238 Main Street, Suite 303, Cambridge, MA 02142 (US)
Priority Data:
60/742,486 05.12.2005 US
11/588,183 26.10.2006 US
Title (EN) LIGHT CAPTURE WITH PATTERNED SOLAR CELL BUS WIRES
(FR) DISPOSITIF DE PIEGEAGE DE LUMIERE A FILS OMNIBUS DE PHOTOPILE STRUCTURES
Abstract: front page image
(EN)Crystalline silicon PV modules typically use tinned flat copper wire to increase the conductivity of a bus bar metallization and to interconnect to adjacent cells. Such a flat bus wire may be patterned with shallow v-shaped grooves using metal forming techniques, such as rolling, stamping and drawing. The grooves are designed so that incident light is reflected up toward the glass superstrate of t module at an internal interface angle that is large enough (typically greater than about 40°) so that the light undergoes total internal reflection at the glass-air interface and is reflected onto the solar cell. Grooves can be lengthwise along the conductor, or at an angle, angles. Rather than grooves, inclined faces can form pyramids, or other shapes.
(FR)Selon la présente invention, des modules photovoltaïques en silicium cristallin emploient généralement un fil de cuivre plat étamé pour accroître la conductivité d'une métallisation de barre omnibus et pour une interconnexion à des cellules adjacentes. Un tel fil omnibus plat peut être structuré avec des rainures en V peu profondes à l'aide de techniques de formage de métal (laminage, poinçonnage et étirage). Les rainures sont conçues de sorte qu'une lumière incidente soit réfléchie vers une couche supérieure du module en formant un angle d'interface interne suffisamment grand (généralement supérieur à 40 degrés environ) pour que la lumière subisse une réflexion totale interne au niveau de l'interface verre-air et soit réfléchie sur la photopile. Un photocourant résultant de l'incidence normale de la lumière sur un prototype d'un tel fil omnibus structuré représente au moins 70 % du photocourant résultant de l'incidence directe sur une zone de cellule active de la même source lumineuse. Un angle d'attaque type d'environ 60 degrés peut produire une réflexion totale d'au moins 50 % de la lumière frappant le fil omnibus sous forme de rayonnement omnidirectionnel. La quasi-totalité de la lumière qui frappe la surface externe de couverture selon un angle d'interface externe inférieur à environ 30 degrés par rapport à la verticale de cette surface peut subir une réflexion totale. L'amélioration du rendement du module n'engendre qu'un coût marginal très faible et ne crée aucune étape supplémentaire dans la fabrication de la cellule ou du module. Une taille de face type est comprise entre 5 et 150 microns, avec un espacement entre des crêtes égal à environ deux fois cette plage. Des rainures peuvent s'étendre en longueur sur le conducteur, ou former un ou des angles. Sinon, plutôt que des rainures, des faces inclinées peuvent constituer des pyramides, ou d'autres formes. La surface peut avantageusement être spéculaire.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Org. (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)